(유튭 강의 보면서 포스팅 작성- 성균관 배진영 교수)
좋은 강의 감사드립니다!
포토레지스트(=PR, Photoresist)
PR은 반도체 토대(웨이퍼) 위에 바르는 액체로, 빛에 반응한다.
빛에 반응해야 웨이퍼 위에 뭔가를 그릴 수 있으므로.
그런데, 어디든 물장사가 남는다.
기계전공은 설비에 관심을 가지듯, 화학전공은 PR에 관심이 간다.
PR= Binder Polymer + Multi-Fuctional Monomer + Photo-initiator + Fuctional Additive (Nega형)
여기서 PR은 Binder와 그외의 첨가물로 이뤄진다. 즉 바인더가 중요하다는 얘기.
(바인더로는 Vinylic polymers가 대세인데 그중 KrF에서 많이 쓰는
Polystyrene은 학부 때 중합실험도 했었당)
보통 광원인 UV로 PR을 자극하면 H+가 생성되고,
그로 인한 연쇄반응으로 인해 전체 연쇄분해가 돼어 PR을 제거한다는 것.
자, 여기서 핵심은? EUV EUV EUV EUV EUV
ASML,의 euv 노광 장비를 두고 삼성전자와 TSMC가 경쟁이 아주 심하다.
KrF(248nm) -> ArF(193nm) -> F2(157nm) ---->> EUV(13nm)
EUV에서 급격히 숫자가 작아졌다. 작은 숫자는 큰 에너지를 뜻하는데,
반도체euv는 그야말로 차세대 반도체의 핵심.
핵심 노광장비.
반도체 슈퍼사이클로 반도체 산업 전망이 좋다고 생각한다
주식을 한다면 euv 관련주를 사면 전망이 좋지 않을까 조심스레 생각한다
잠깐 찾아봤는데 동진쎄미켐 euv가 화제인 것 같다
동진쎄미켐 주가가 오를지 의문이다 asml을 비롯해
국내에서 동진쎄미켐 주가 전망에 대해 관심이 많으실 듯 함.
어쨋든,
몇 년 전 일본의 수출 규제엔 이 반도체EUV PR이 포함돼있었는데,
당시 우리나라에서 만드는 기업이 없었나보다.
지금은 삼성이 개발 하겠다고 선언을 했다긴하는뎅
Q) 왜 EUV PR은 기존 KrF나 ArF로 사용 못할까?
그것은 각 PR의 구성 성분에 따라 광원 파장에 따른 흡수율이 다르고,
결론적으로 KrF(248nm)에 쓰이는 PR인 Polyhydroxystyrene와
ArF(193nm)에 쓰이는 PR인 Polyacrylate는
EUV(13nm)에서는 빛 흡수율이 낮다~ 이거다.
이 포스팅은 바로 이 질문을 답하기 위해 작성했다.
반도체의 심화공부르 위해 euv 펠리클에 대한 공부도 해야겠다
완료~
위는 개인적인 의견으로 참고만 해주세요~
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